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BUJD103AD,118 WeEn Semiconductors – Price, Stock & Datasheet
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

BUJD103AD,118

Teil Nr. BUJD103AD,118
Hersteller WeEn Semiconductors
Katalog TRANSISTORS
Beschreibung Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 700V 4A
Datenblatt
BUJD103AD,118 Datenblatt
Muster
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ECAD-module
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Hersteller WeEn Semiconductors
Montageart SMD/SMT
Verpackung / Koffer DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor-Polarität NPN
Konfiguration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 700 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 290 mV
Maximum DC Collector Current 4 A
Pd - Power Dissipation 80 W
Maximale Betriebstemperatur + 150 C
Verpackung Reel
DC Current Gain hFE Max 32
Höhe 2.38 mm
Länge 6.73 mm
Technologie Si
Breite 6.22 mm
Brand WeEn Semiconductors
DC Collector/Base Gain hfe Min 10
Produkttyp BJTs - Bipolar Transistors
Standard Pack Qty 2500
Subcategory Transistors
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BUJD103AD,118 CAD-Modell

Beschreibung

The WeEn Semiconductors 770636-BUJD103AD,118 is a high power NPN transistor designed for discrete semiconductor products. With a maximum power of 80W, this transistor is suitable for a wide range of applications.

  • Maximum Power: 80W
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage: 400V
  • DC Current Gain (hFE): 11 @ 2A, 5V
  • Collector Cutoff Current: 100μA
  • Package: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Package Type: Reel
  • Quantity: 2,500 pieces
  • Alternatives: FJD5304DTF, BUJD103AD, TS13005CP

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
155+ 0.3754$ 58.1870$
375+ 0.3081$ 115.5375$
585+ 0.2985$ 174.6225$
800+ 0.2888$ 231.0400$
1,035+ 0.2792$ 288.9720$
1,385+ 0.2503$ 346.6655$
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