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Transistoren from Nexperia USA Inc. : 13 - Seite 1

Transistoren sind Halbleiterbauelemente, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen und elektrischer Leistung verwendet werden. Diese Kategorie umfasst Bipolartransistoren (BJTs), Feldeffekttransistoren (FETs) und Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) und andere. Sie sind grundlegende Komponenten in praktisch jedem elektronischen Gerät und ermöglichen eine Vielzahl von Funktionalitäten.

Top-Hersteller wie Infineon Technologies, Toshiba und STMicroelectronics sind führend auf dem Markt für die Herstellung hochleistungsfähiger Transistoren. Diese Komponenten sind in Anwendungen wie Netzteilen, Verstärkern und Schaltkreisen allgegenwärtig. Ihre Effizienz und Zuverlässigkeit sind entscheidend für den zuverlässigen Betrieb elektronischer Systeme.

Fortlaufende Fortschritte in der Transistortechnologie zielen darauf ab, höhere Leistungsdichten, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringeren Einschaltwiderstand zu bieten. Diese Verbesserungen sind entscheidend für die Steigerung der Leistung und Energieeffizienz moderner Elektronik.

Ausgewählte Hersteller

Auswählen Bilder Artikelnummer Hersteller Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis Menge RFQ RoHS ECAD-Modell

Herst. Teilenr.
BC817-40,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Datenblatt

930,900 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 2385

rohs

Herst. Teilenr.
BC817-25,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Datenblatt

899,810 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 1840

rohs

Herst. Teilenr.
PDTC114ET,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Digital Transistors 50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

855,570 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 710

rohs

Herst. Teilenr.
BCX56-16,135

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Datenblatt

112,650 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 135

rohs

Herst. Teilenr.
PMBTA45,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat transistor
Datenblatt

40,420 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 115

rohs

Herst. Teilenr.
BST82,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Datenblatt

281,260 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 180

rohs

Herst. Teilenr.
BC847C,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Datenblatt

947,870 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 4905

rohs

Herst. Teilenr.
BSS84AK,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs 50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Datenblatt

272,400 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 1115

rohs

Herst. Teilenr.
BC847B,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

540,780 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 4240

rohs

Herst. Teilenr.
BSS123,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
Datenblatt

600,000 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 1105

rohs

Herst. Teilenr.
BSS84,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET
Datenblatt

394,370 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 475

rohs

Herst. Teilenr.
NX3008NBK,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs 30 V, single N-channel Trench MOSFET
Datenblatt

906,500 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 415

rohs

Herst. Teilenr.
PMV160UP,215

WS Teilenr.

Nexperia USA Inc.

MOSFETs 20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFET
Datenblatt

55,400 Stück auf Lager

Mindestbestellmenge: 120

rohs
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