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BC847B,215 Nexperia USA Inc. BC847B,215 real image15184
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Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

BC847B,215

Teil Nr. BC847B,215
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog TRANSISTORS
Beschreibung Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Hersteller Nexperia
Montageart SMD/SMT
Verpackung / Koffer SOT-23-3
Transistor-Polarität NPN
Konfiguration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung 200 mV
Maximum DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 250 mW
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximale Betriebstemperatur + 150 C
Verpackung Cut Tape
Verpackung MouseReel
Verpackung Reel
DC Current Gain hFE Max 200 at 2 mA, 5 V
Höhe 1 mm
Länge 3 mm
Technologie Si
Breite 1.4 mm
Brand Nexperia
DC Collector/Base Gain hfe Min 200 at 2 mA, 5 V
Produkttyp BJTs - Bipolar Transistors
Standard Pack Qty 3000
Subcategory Transistors
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BC847B,215 CAD-Modell

Beschreibung

Nexperia USA Inc.'s BC847B,215 is an NPN transistor with SMD (SMT) mounting.

  • Frequency-Transition: 100MHz
  • Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage: 45V
  • Maximum Power Dissipation: 250mW
  • Supply and Demand Status: Balance
  • Temperature Range: 150°C (TJ)
  • Package: TO-236AB (SOT23)
  • Typical Gain (hFE) (Min): 200 @ 2mA, 5V

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9,010+ 0.0111$ 100.0110$
14,020+ 0.0107$ 150.0140$
20,000+ 0.0100$ 200.0000$
26,045+ 0.0096$ 250.0320$
32,610+ 0.0092$ 300.0120$
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