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PMV160UP,215 Nexperia USA Inc.
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

PMV160UP,215

Teil Nr. PMV160UP,215
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog TRANSISTORS
Beschreibung MOSFETs 20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFET
Datenblatt
PMV160UP,215 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Hersteller Nexperia
Technologie Si
Montageart SMD/SMT
Verpackung / Koffer SOT-23-3
Transistor-Polarität P-Channel
Anzahl von Kanälen 1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 1.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 210 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 450 mV
Qg - Gate Charge 3.3 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximale Betriebstemperatur + 150 C
Pd - Power Dissipation 480 mW
Kanal-Modus Enhancement
Verpackung Cut Tape
Verpackung MouseReel
Verpackung Reel
Brand Nexperia
Produkttyp MOSFETs
Standard Pack Qty 3000
Subcategory Transistors
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian PMV160UP,215 CAD-Modell

Beschreibung

The Nexperia USA Inc. PMV160UP,215 is a P-channel MOSFET designed for discrete semiconductor products.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current @ 25°C: 1.2A (Ta)
  • Maximum Rds On @ Id,Vgs: 210 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Gate-Source Threshold Voltage: 950mV @ 250μA
  • Package: SMD (SMT), TO-236AB (SOT23)
  • Maximum Power Dissipation: 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V

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