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MMBF5457LT1

Teil Nr. MMBF5457LT1
Hersteller ON Semiconductor
Katalog JFETs (Junction Field Effect)
Beschreibung JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 / Trans JFET N-CH 25V 5mA 3-Pin SOT-23 T/R
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Teil Status Obsolete(EOL)
Kanal Typ Typ N
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS) 25V
Drain Source Spannung 25V
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) @ Vds 7pF @ 15V
Leistung - Max 225mW
Betriebstemperaturbereich -55°C ~ 150°C (TJ)
Montage SMD
Paket TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller Paket SOT-23-3 (TO-236)
Win Source Teilenummer 789016-MMBF5457LT1
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 36 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Anwendungsbereich Used in Industrial, RF Communications, Power Management
Familienname MMBF5457L
Einführung Datum December 10, 2001
ECCN EAR99
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum Obsolete / End of life
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian MMBF5457LT1 CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor MMBF5457LT1 JFET

The ON Semiconductor MMBF5457LT1 is a high-performance JFET (Junction Field Effect Transistor) designed for low-power applications that require high input impedance and fast switching. This particular JFET is part of the MMBF5457 series and is well-suited for a wide range of electronic circuits, including choppers, commutators, and analog switches.

Key Features

  • High Input Impedance: The MMBF5457LT1 boasts a high input impedance, which minimizes the loading effect on preceding stages of a circuit, making it ideal for impedance buffering applications.
  • Low On-Resistance: It offers low on-resistance, which ensures minimal signal loss when the transistor is in the 'on' state, thereby preserving signal integrity.
  • Low Leakage: The device exhibits low leakage current, which enhances the overall efficiency of the circuit by reducing power wastage.
  • Fast Switching: With fast switching capabilities, the MMBF5457LT1 is capable of operating at high frequencies, making it suitable for RF and other high-speed signal processing applications.
  • SOT-23 Package: Enclosed in a compact SOT-23 package, the MMBF5457LT1 is designed for space-constrained applications and offers a small footprint on PCBs (Printed Circuit Boards).

Applications

The MMBF5457LT1 JFET is versatile and can be used in various applications, including:

  • Analog Switches
  • Choppers
  • Commutators
  • Amplifiers
  • Buffer Circuits
  • Audio Signal Processing
  • RF Signal Processing

Electrical Characteristics

With a continuous drain current (ID) of 10 mA and a gate-source cutoff voltage (VGS(off)) ranging from -0.5V to -6V, the MMBF5457LT1 provides flexibility in various design topologies. The device also supports a drain-source voltage (VDS) of 25V, which is adequate for many low to medium voltage applications.

Conclusion

The ON Semiconductor MMBF5457LT1 is an efficient and reliable JFET that offers excellent performance for a variety of electronic applications. Its high input impedance, low on-resistance, low leakage, fast switching, and compact packaging make it a preferred choice for designers looking for a versatile and space-efficient transistor solution.

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540+ 0.1855$ 100.1700$
835+ 0.1797$ 150.0495$
1,155+ 0.1739$ 200.8545$
1,490+ 0.1681$ 250.4690$
1,995+ 0.1507$ 300.6465$
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