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BAT54CTT1G

Teil Nr. BAT54CTT1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Diodes, Rectifiers - Arrays
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC75
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Diode Konfiguration 1 Pair Common Cathode
Diode Typ Schottky
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) 30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA
Rücklaufende Erholungszeit (trr) 5ns
Strom - Rückwärtsleckstrom @ Vr 2μA @ 25V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C to 125°C
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SC-75, SOT-416
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 010986-BAT54CTT1G
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 57 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BAT54CTT1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor BAT54CTT1G Schottky-Diode

Die BAT54CTT1G von ON Semiconductor ist eine hocheffiziente, oberflächenmontierbare Schottky-Diode, die für Anwendungen entwickelt wurde, die schnelles Schalten und geringe Verlustleistung erfordern. Diese Diode ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht, wodurch sie eine ideale Wahl für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot ist. Die BAT54CTT1G bietet eine hervorragende Leistung mit einem Durchlassstrom von 200 mA und einem niedrigen Durchlassspannungsabfall, was eine geringere Verlustleistung und eine verbesserte Systemeffizienz gewährleistet.

Diese Schottky-Diode weist eine Serienkonfiguration von zwei Dioden auf, die in einer Vielzahl von Gleichrichtungs- und Schaltkreisen verwendet werden kann. Die BAT54CTT1G zeichnet sich durch ihre schnelle Rückstromerholungszeit aus, wodurch sie sich für Hochfrequenzoperationen eignet. Der Baustein ist außerdem für seinen geringen Leckstrom bekannt, der den Leistungsverlust im ausgeschalteten Zustand der Diode minimiert.

Hauptmerkmale:

  • Vorwärtsstrom (IF): 200 mA
  • Niedriger Vorwärts-Spannungsabfall
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedriger Leckstrom
  • Sperrschichttemperaturbereich: -55°C bis +125°C
  • Kompaktes SOT-23-Gehäuse
  • Bleifrei, RoHS-konform

Der BAT54CTT1G wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen einer Vielzahl von elektronischen Geräten zu erfüllen. Er wird häufig in tragbaren Geräten, Power-Management-Schaltungen und Hochfrequenz-Gleichrichtern eingesetzt. Durch seinen geringen Vorwärtsspannungsabfall und seine schnellen Schaltfähigkeiten eignet er sich besonders für DC-DC-Wandler, Spannungsklemmanwendungen und Schutzschaltungen.

Das Qualitätsbewusstsein von ON Semiconductor stellt sicher, dass die BAT54CTT1G-Diode eine zuverlässige und konstante Leistung bietet. Ob für mobile Geräte, Computersysteme oder Industrieanlagen, diese Schottky-Diode ist eine ausgezeichnete Wahl für Entwickler, die die Effizienz und Langlebigkeit ihrer Schaltungen verbessern wollen. Die BAT54CTT1G ist ein Beweis für das Engagement von ON Semiconductor, fortschrittliche Halbleiterlösungen anzubieten, die den sich entwickelnden Anforderungen der Elektronikindustrie gerecht werden.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
1,200+ 0.0417$ 50.0400$
2,560+ 0.0391$ 100.0960$
3,970+ 0.0378$ 150.0660$
5,700+ 0.0351$ 200.0700$
7,400+ 0.0338$ 250.1200$
9,235+ 0.0325$ 300.1375$
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