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IRF7406PBF Infineon Technologies
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

IRF7406PBF

Teil Nr. IRF7406PBF
Hersteller Infineon Technologies
Katalog FETs - Single
Beschreibung HEXFET®Power MOSFET | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Tube
Transistor-Polarität P-Channel
Technologie MOSFET
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 30V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 5.8A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 45mOhm at 2.8A, 10V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 1V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 59nC at 10V
Gate Source Spannung (Maximum) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 1100pF at 25V
Verlustleistung (maximal) 2.5W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 150°C
Montageart SMD
Lieferant Gerätepaket 8-SO
Hersteller Paket 8-SOIC
Hersteller Packmenge 3,800
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 1187254-IRF7406PBF
Hersteller Homepage www.irf.com
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 66 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRF7406PBF CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies IRF7406PBF with the Win Source Part Number 1187254 is a P-Channel MOSFET with a maximum drain-source breakdown voltage of 30V and a continuous drain current of 5.8A.

  • Maximum Gate-Source Voltage: ±20V
  • Input Capacitance: 1100pF @ 25V
  • Supply and Demand Status: Limited
  • Manufacturer Pack Quantity: 3,800
  • MSL Level: 1 (unlimited)
  • Technology: MOSFET
  • Package: 8-SOIC
  • Power Dissipation: 2.5W
  • Category: Discrete Semiconductor Products

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3+ 18.9179$ 56.7537$
7+ 15.5224$ 108.6568$
10+ 15.0374$ 150.3740$
14+ 14.5523$ 203.7322$
18+ 14.0672$ 253.2096$
24+ 12.6120$ 302.6880$
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