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IMZ4T108 Rohm Semiconductor
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

IMZ4T108

Teil Nr. IMZ4T108
Hersteller Rohm Semiconductor
Katalog Transistors (BJT) - Arrays
Beschreibung TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Datenblatt
IMZ4T108 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Rohm Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Not For New Designs
Transistor-Polarität NPN, PNP
Maximaler Strom Kollektor 500mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 32V
Max Vce (sat) 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 100nA (ICBO)
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 120 @ 100mA, 3V
Maximale Verlustleistung 300mW
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SMT6
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 017250-IMZ4T108
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 65 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IMZ4T108 CAD-Modell

Beschreibung

The IMZ4T108 is a product from Rohm Semiconductor.

  • Frequency transition: 250MHz and 200MHz
  • Transistor polarity: NPN and PNP
  • Packaging: Reel-TR
  • Mounting: SMD (SMT)
  • Temperature range: 150°C (TJ)
  • Case/package: SMT6
  • Maximum current collector: 500mA
  • VCEO maximum collector-emitter breakdown voltage: 32V
  • Max Vce (sat): 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
  • Collector cut-off current(max): 100nA (ICBO)
  • Typical gain (hFE) (Min): 120 @ 100mA, 3V
  • Maximum power dissipation: 300mW

This component is common-used.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
1,135+ 0.0442$ 50.1670$
2,755+ 0.0363$ 100.0065$
4,265+ 0.0352$ 150.1280$
5,885+ 0.0340$ 200.0900$
7,600+ 0.0329$ 250.0400$
10,170+ 0.0295$ 300.0150$
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