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DTC143ZET1G

Teil Nr. DTC143ZET1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Transistors (BJT) - Single, Pre - Biased
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Transistor-Polarität NPN - Pre-Biased
Maximaler Strom Kollektor 100mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitterbasis (R2) (Ohm) 47k
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 10V
Max Vce (sat) 250mV @ 1mA, 10mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 500nA
Maximale Verlustleistung 200mW
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SC-75, SOT-416
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 015045-DTC143ZET1G
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 32 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian DTC143ZET1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor DTC143ZET1G Digital Transistor

The DTC143ZET1G from ON Semiconductor is a high-performance NPN bipolar digital transistor, also known as a pre-biased or bias-resistor transistor (BRT), which integrates a single transistor and a resistor in a small package. This product is designed to streamline circuit design by reducing component count while offering a reliable solution for digital switching applications.

Key Features

  • Integrated Resistor: The device includes a built-in bias resistor, which simplifies circuit design and reduces board space requirements.
  • Surface-Mount Package: It comes in a compact SOT-23 (TO-236) surface-mount package, making it suitable for high-density PCB assemblies.
  • Low VCE(sat): Offers low collector-emitter saturation voltage, enhancing overall efficiency and reducing power losses during operation.
  • High Current Gain: The transistor provides a high current gain (hFE), ensuring reliable operation even at low input currents.
  • Complementary PNP Type: The complementary PNP type is available, enabling the use of push-pull configurations for more complex designs.

Applications

  • Inverter circuits
  • Interface circuits
  • Driver circuits
  • Signal processing
  • Power management

Technical Specifications

  • Configuration: Single
  • Collector- Base Voltage (VCB): 50V
  • Collector-Emitter Voltage (VCE): 50V
  • Emitter-Base Voltage (VEB): 5V
  • Continuous Collector Current (IC): 100mA
  • Power Dissipation (PD): 225mW
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

The DTC143ZET1G is a versatile component that simplifies the design process for engineers by integrating the biasing components required for the transistor to operate. Its compact size, efficiency, and ease of use make it an excellent choice for a wide range of digital switching applications. ON Semiconductor's commitment to quality ensures that this digital transistor will provide reliable performance in your electronic designs.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
710+ 0.0708$ 50.2680$
1,510+ 0.0663$ 100.1130$
2,345+ 0.0641$ 150.3145$
3,360+ 0.0596$ 200.2560$
4,360+ 0.0574$ 250.2640$
5,445+ 0.0551$ 300.0195$
* Die Preise verstehen sich exklusive Versandkosten und Steuern. Die Versandkosten werden an der Kasse berechnet.
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Verfügbarkeit: 186,080 Stücke
MOQ: 710 Stück
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