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BAS20LT1G

Teil Nr. BAS20LT1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Diodes, Rectifiers - Single
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Diode Typ Standard
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) 200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA
Rücklaufende Erholungszeit (trr) 50ns
Strom - Rückwärtsleckstrom @ Vr 100nA @ 150V
Kapazität @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C to 150°C
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 010890-BAS20LT1G
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 67 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BAS20LT1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor BAS20LT1G - Schaltdiode

Die BAS20LT1G ist eine Hochleistungsschaltdiode, die von ON Semiconductor, einem führenden Anbieter von Lösungen auf Halbleiterbasis, entwickelt und hergestellt wird. Diese Diode bietet schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen geringen Leckstrom und eine hohe Spannungsfähigkeit, was sie zu einer idealen Wahl für hocheffiziente Anwendungen macht.

Wesentliche Merkmale

  • Hohe Spannungstoleranz: Mit einer wiederholten Spitzensperrspannung (VRRM) von 200 V ist die BAS20LT1G für Hochspannungsanwendungen geeignet und bietet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Die Diode zeichnet sich durch eine schnelle Erholungszeit in Sperrrichtung aus, die schnelle Übergänge zwischen leitenden und nichtleitenden Zuständen gewährleistet, was für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entscheidend ist.
  • Geringer Leckstrom: Die Diode weist einen geringen Leckstrom auf, wodurch die Verlustleistung minimiert und die Gesamteffizienz der Schaltung, in der sie eingesetzt wird, verbessert wird.
  • SOT-23-Gehäuse: Diese Diode ist in einem kleinen SOT-23-Gehäuse untergebracht, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für platzbeschränkte Anwendungen macht. Die kompakte Grundfläche ermöglicht PCB-Layouts mit hoher Dichte.
  • RoHS-konform: Die BAS20LT1G ist vollständig RoHS-konform und erfüllt somit die neuesten Umweltstandards und Beschränkungen für gefährliche Substanzen.

Anwendungen

Der BAS20LT1G ist vielseitig und kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden. Einige der häufigsten Anwendungen sind:

  • Schaltnetzteile
  • Wandler
  • Hochgeschwindigkeits-Logikschaltungen
  • Power-Management-Geräte
  • Schutz vor Verpolung

Qualität und Verlässlichkeit

ON Semiconductor ist bekannt für sein Engagement für Qualität und Zuverlässigkeit, und der BAS20LT1G bildet da keine Ausnahme. Er erfüllt strenge Industriestandards und gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit und Leistung in kommerziellen, industriellen und Automobilanwendungen. Ganz gleich, ob Sie Leistungswandler entwickeln oder die Stromversorgung in tragbaren Geräten verwalten, der BAS20LT1G bietet die Effizienz und Zuverlässigkeit, die Sie für Ihre Innovationen benötigen.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
4,675+ 0.0107$ 50.0225$
10,000+ 0.0100$ 100.0000$
15,465+ 0.0097$ 150.0105$
22,225+ 0.0090$ 200.0250$
29,070+ 0.0086$ 250.0020$
36,145+ 0.0083$ 300.0035$
* Die Preise verstehen sich exklusive Versandkosten und Steuern. Die Versandkosten werden an der Kasse berechnet.
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Verfügbarkeit: 260,000 Stücke
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