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NX2301P,215

Teil Nr. NX2301P,215
Hersteller NXP
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Nexperia USA Inc.
Verpackung Reel - TR
Status Active
Polarität P-Channel
Technologie MOSFET
Drain-Source-Durchbruchsspannung 20V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Gate-Source Schwellenspannung 1.1V @ 250μA
Maximale Gate-Ladung 6nC @ 4.5V
Maximale Eingangskapazität 380pF @ 6V
Maximale Gate-Source-Spannung ±8V
Verlustleistung (Max) 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 120 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket TO-236AB (SOT23)
Dimension TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 096453-NX2301P,215
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 35 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian NX2301P,215 CAD-Modell

Beschreibung

Introducing the NXP NX2301P,215 - A Robust MOSFET Solution

The NXP NX2301P,215 is a cutting-edge, high-performance MOSFET that has been meticulously engineered to cater to a wide range of power management applications. This compact yet powerful device is part of NXP's extensive portfolio of semiconductor solutions, designed to offer exceptional efficiency and reliability.

Key Features

  • Low On-Resistance: The NX2301P,215 boasts an incredibly low on-resistance, which significantly reduces conduction losses and enhances overall energy efficiency.
  • High-Speed Switching: With its fast switching capabilities, this MOSFET is ideal for high-frequency applications, ensuring minimal power loss and heat generation.
  • Advanced Packaging: Enclosed in a compact SOT-23 package, the NX2301P,215 is optimized for space-constrained applications while providing excellent thermal performance.
  • Logic-Level Gate Drive: The device can be driven directly from low-voltage logic signals, making it compatible with modern microcontrollers and reducing the need for additional driver circuitry.

Applications

The versatility of the NX2301P,215 makes it suitable for a diverse array of applications, including:

  • Power supply circuits
  • DC-DC converters
  • Battery management systems
  • Load switches
  • Motor control units

Technical Specifications

The NX2301P,215 is characterized by its impressive technical specifications:

  • Drain-Source Voltage (VDS): 20V
  • Continuous Drain Current (ID): 2A
  • Power Dissipation (PD): 0.36W
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C

Quality and Reliability

NXP Semiconductors is renowned for its commitment to quality, and the NX2301P,215 is no exception. It is manufactured with high-grade materials and subjected to rigorous testing to ensure it meets the stringent standards required for industrial and consumer electronics. With its robust design and proven performance, the NX2301P,215 is a reliable choice for designers looking to optimize their power management systems.

Whether you're developing the next generation of portable devices or working on high-efficiency power supplies, the NXP NX2301P,215 MOSFET is a component that promises to deliver the performance and durability you need.

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Preise und Bestellung

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265+ 0.1887$ 50.0055$
570+ 0.1768$ 100.7760$
880+ 0.1708$ 150.3040$
1,260+ 0.1589$ 200.2140$
1,640+ 0.1529$ 250.7560$
2,045+ 0.1469$ 300.4105$
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