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BCR573E6327HTSA1 Real Image
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BCR573E6327HTSA1

Teil Nr. BCR573E6327HTSA1
Hersteller Infineon Technologies
Katalog Transistors (BJT) - Single, Pre - Biased
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
Datenblatt
BCR573E6327HTSA1 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Reel - TR
Transistor-Polarität PNP - Pre-Biased
Maximaler Strom Kollektor 500mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitterbasis (R2) (Ohm) 10k
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 70 @ 50mA, 5V
Max Vce (sat) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 150MHz
Maximale Verlustleistung 330mW
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket PG-SOT23-3
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 1022737-BCR573E6327HTSA1
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 70 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BCR573E6327HTSA1 CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies BCR573E6327HTSA1 is a PNP-pre-biased transistor designed for discrete semiconductor products.

  • Maximum Current Collector: 500mA
  • VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage: 50V
  • Maximum Vce (sat): 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Typical Gain (hFE) (Min): 70 @ 50mA, 5V
  • Maximum Power Dissipation: 330mW
  • Package: PG-SOT23-3
  • Mounting: SMD (SMT)

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210+ 0.4776$ 100.2960$
325+ 0.4627$ 150.3775$
450+ 0.4477$ 201.4650$
580+ 0.4328$ 251.0240$
775+ 0.3880$ 300.7000$
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