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AUIRLR3410TR Infineon Technologies
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

AUIRLR3410TR

Teil Nr. AUIRLR3410TR
Hersteller Infineon Technologies
Katalog FETs - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Tape and Reel
Transistor-Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 100V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 17A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 105mOhm at 10A, 10V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 2V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 34nC at 5V
Gate Source Spannung (Maximum) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 800pF at 25V
Verlustleistung (maximal) 79W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 175°C
Montageart SMD
Lieferant Gerätepaket D-Pak
Hersteller Paket TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller Packmenge 2,000
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 729696-AUIRLR3410TR
Popularität Low
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 31 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian AUIRLR3410TR CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies 729696-AUIRLR3410TR is a N-Channel MOSFET with a Drain-Source Breakdown Voltage of 100V and Continuous Drain Current of 17A.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 17A
  • Gate Source Voltage(th): 2V @ 250μA
  • Input Capacitance (Ciss): 800pF @ 25V
  • Package: D-Pak
  • Temperature Range: -55°C to 175°C
  • Maximum Power Dissipation: 79W
  • Maximum Gate Charge (Qg): 34nC @ 5V

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Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
55+ 1.1157$ 61.3635$
115+ 1.0441$ 120.0715$
175+ 1.0083$ 176.4525$
250+ 0.9367$ 234.1750$
325+ 0.8997$ 292.4025$
405+ 0.8639$ 349.8795$
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