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DMG2305UX-7

Teil Nr. DMG2305UX-7
Hersteller Diodes Incorporated
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Diodes Incorporated
Verpackung Reel - TR
Status Active
Polarität P-Channel
Technologie MOSFET
Drain-Source-Durchbruchsspannung 20V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Gate-Source Schwellenspannung 900mV @ 250μA
Maximale Gate-Ladung 10.2nC @ 4.5V
Maximale Eingangskapazität 808pF @ 15V
Maximale Gate-Source-Spannung ±8V
Verlustleistung (Max) 1.4W (Ta)
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOT-23
Dimension TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 014378-DMG2305UX-7
Familienname DMG2305UX
Einführung Datum May 23, 2013
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum 2028
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 48 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian DMG2305UX-7 CAD-Modell

Beschreibung

The DMG2305UX-7 is a high-performance P-Channel MOSFET from Diodes Incorporated, designed to deliver efficiency and reliability for a wide range of applications. This MOSFET is an ideal choice for power management tasks thanks to its low on-resistance and high threshold voltage. It's housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications.

Key Features

  • Low On-Resistance: The device features an extremely low on-resistance of 65mΩ at VGS = -4.5V, which enhances its efficiency and reduces power losses during operation.
  • High Threshold Voltage: With a threshold voltage of -0.45V (min) to -1.0V (max), the DMG2305UX-7 ensures a robust performance even in circuits with low gate drive voltages.
  • High Continuous Drain Current: It supports a high continuous drain current of -3.1A, making it capable of handling significant power levels.
  • Advanced Packaging: The SOT-23 package is not only small but also offers excellent thermal performance, which is crucial for maintaining stability and longevity in various applications.
  • Lead-Free and RoHS Compliant: In line with modern environmental standards, this MOSFET is lead-free and RoHS compliant, minimizing the environmental impact of electronic components.

Applications

The DMG2305UX-7 is versatile and can be used in various applications, including:

  • Power Management Circuits
  • Load Switches
  • Battery Management Systems
  • DC-DC Converters
  • Portable Devices

Product Summary

Parameter Value
Configuration Single
Channel Type P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -20V
Gate-Source Voltage (Vgs) ±8V
Continuous Drain Current (Id) -3.1A
Power Dissipation (Pd) 1W
Operating Temperature Range -55°C to +150°C

In conclusion, the DMG2305UX-7 from Diodes Incorporated is a robust and efficient solution for designers looking to optimize their power management systems with a reliable P-Channel MOSFET.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
1,415+ 0.0354$ 50.0910$
3,015+ 0.0332$ 100.0980$
4,675+ 0.0321$ 150.0675$
6,715+ 0.0298$ 200.1070$
8,715+ 0.0287$ 250.1205$
10,870+ 0.0276$ 300.0120$
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