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RN1501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

RN1501(TE85L,F)

Teil Nr. RN1501(TE85L,F)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Katalog Transistors (BJT) - Arrays, Pre - Biased
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Datenblatt
RN1501(TE85L,F) Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Verpackung Cut Reel
Transistor-Polarität 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Maximaler Strom Kollektor 100mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitterbasis (R2) (Ohm) 4.7k
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 30 @ 10mA, 5V
Max Vce (sat) 300mV @ 250μA, 5mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Maximale Verlustleistung 300mW
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SMV
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 101681-RN1501(TE85L,F)
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 30 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian RN1501(TE85L,F) CAD-Modell

Beschreibung

The RN1501(TE85L,F) is a medium popularity product manufactured by Toshiba Semiconductor and Storage.

  • Supply and Demand Status: Balanced
  • Product Type: Transistor
  • Frequency - Transition: 250MHz
  • Transistor Polarity: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Mounting Type: SMD (SMT) technology
  • Package: SMV case
  • Current - Collector (Max): 100mA
  • VCEO Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage: 50V

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