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BAT54SLT1G

Teil Nr. BAT54SLT1G
Hersteller ON Semiconductor
Katalog Diodes, Rectifiers - Arrays
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller ON Semiconductor
Verpackung Reel - TR
Status Active
Diode Konfiguration 1 Pair Series Connection
Diode Typ Schottky
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) 30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA
Rücklaufende Erholungszeit (trr) 5ns
Strom - Rückwärtsleckstrom @ Vr 2μA @ 25V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket SOT-23-3 (TO-236)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 011001-BAT54SLT1G
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 52 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Anwendungsbereich Used in Automotive, Signal Processing, Portable Devices
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BAT54SLT1G CAD-Modell

Beschreibung

ON Semiconductor BAT54SLT1G Schottky-Barriere-Diode

Die BAT54SLT1G ist eine hocheffiziente, oberflächenmontierte Schottky-Barrier-Diode, die von ON Semiconductor, einem führenden Anbieter von Lösungen auf Halbleiterbasis, entwickelt und hergestellt wird. Diese Diode ist bekannt für ihren niedrigen Durchlassspannungsabfall und ihre schnellen Schaltfähigkeiten, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für Hochfrequenzanwendungen und als Gleichrichterelement in verschiedenen elektronischen Schaltungen macht.

Wesentliche Merkmale

  • Niedrige Vorwärtsspannung: Die BAT54SLT1G zeichnet sich durch einen geringen Vorwärtsspannungsabfall aus, der dazu beiträgt, den Leistungsverlust zu minimieren und die Gesamteffizienz des Schaltkreisbetriebs zu verbessern.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit: Mit ihrer schnellen Reaktionszeit ist diese Diode ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen geeignet und gewährleistet eine minimale Signalverzögerung und Hochfrequenzleistung.
  • Oberflächenmontiertes Gehäuse: Das SOT-23-Gehäuse ist kompakt und eignet sich für automatisierte Montageprozesse, was es zu einer bequemen Wahl für die Großserienproduktion macht.
  • Rückwärtsspannung: Der Baustein kann einer Rückwärtsspannung von bis zu 30 Volt standhalten und bietet somit einen guten Spielraum für Überspannungsbedingungen.
  • Niedrige Kapazität: Die geringe Kapazität der Diode ist für Hochgeschwindigkeitsschaltungen von Vorteil, bei denen die Kapazität die Leistung des Systems beeinträchtigen kann.

Anwendungen

Die BAT54SLT1G ist vielseitig und kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter

  • DC-DC-Wandlung
  • Power-Management-Systeme
  • Schutzschaltungen
  • Spannungsklemmung
  • Schutz vor Verpolung
  • Signal-Demodulation

Verlässlichkeit und Qualität

ON Semiconductor ist bestrebt, qualitativ hochwertige Produkte zu liefern, und der BAT54SLT1G ist da keine Ausnahme. Er ist so konzipiert, dass er die strengen Industriestandards für Leistung und Zuverlässigkeit erfüllt und somit den Anforderungen verschiedener Anwendungen standhält. Darüber hinaus ist das Produkt RoHS-konform, was bedeutet, dass bei der Herstellung auf Umweltsicherheit und Nachhaltigkeit geachtet wurde.

Ganz gleich, ob Sie Stromversorgungsmodule, tragbare Geräte oder andere elektronische Systeme entwickeln, die eine effiziente Gleichrichtung und Schaltung erfordern - der BAT54SLT1G von ON Semiconductor ist ein zuverlässiges und effektives Bauteil, auf dessen Leistung Sie sich verlassen können.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
2,490+ 0.0201$ 50.0490$
5,320+ 0.0188$ 100.0160$
8,245+ 0.0182$ 150.0590$
11,835+ 0.0169$ 200.0115$
15,340+ 0.0163$ 250.0420$
19,110+ 0.0157$ 300.0270$
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