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PDTC143ET,215 Nexperia USA Inc.
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PDTC143ET,215

Teil Nr. PDTC143ET,215
Hersteller Nexperia USA Inc.
Katalog Transistors (BJT) - Single, Pre - Biased
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Datenblatt
PDTC143ET,215 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Nexperia USA Inc.
Verpackung Reel - TR
Status Active
Transistor-Polarität NPN - Pre-Biased
Maximaler Strom Kollektor 100mA
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitterbasis (R2) (Ohm) 4.7k
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 30 @ 10mA, 5V
Max Vce (sat) 150mV @ 500μA, 10mA
Kollektor-Abschaltstrom (Max) 1μA
Maximale Verlustleistung 250mW
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket TO-236AB (SOT23)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 1087226-PDTC143ET,215
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 59 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian PDTC143ET,215 CAD-Modell

Beschreibung

The Nexperia USA Inc. PDTC143ET,215 is an active NPN pre-biased transistor with a maximum collector-emitter breakdown voltage of 50V and a maximum current collector of 100mA.

  • Resistor-Base: 4.7k
  • Resistor-Emitter Base: 4.7k
  • Maximum Vce (sat): 150mV @ 500μA, 10mA
  • Collector Cut-off Current: 1μA
  • Typical Gain: 30 @ 10mA, 5V
  • Maximum Power Dissipation: 250mW
  • Package: TO-236AB (SOT23)
  • Maximum Temperature Range: 150°C

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215+ 0.2358$ 50.6970$
455+ 0.2209$ 100.5095$
705+ 0.2135$ 150.5175$
1,010+ 0.1985$ 200.4850$
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