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Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

IRF7842PBF

Teil Nr. IRF7842PBF
Hersteller Infineon Technologies
Katalog FETs - Single
Beschreibung HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Tube
Transistor-Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 40V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 18A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 5mOhm at 17A, 10V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 2.25V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 50nC at 4.5V
Gate Source Spannung (Maximum) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 4500pF at 20V
Verlustleistung (maximal) 2.5W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 150°C
Montageart SMD
Lieferant Gerätepaket 8-SO
Hersteller Paket 8-SOIC
Hersteller Packmenge 3,800
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 1187378-IRF7842PBF
Hersteller Homepage www.irf.com
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 58 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRF7842PBF CAD-Modell

Beschreibung

The IRF7842PBF is an N-Channel MOSFET transistor from Infineon Technologies.

  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Type: N-Channel MOSFET transistor
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 40V
  • Continuous Drain Current: 18A
  • Operating Temperature: -55°C to 150°C
  • Supply Status: Limited quantities

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260+ 0.3881$ 100.9060$
405+ 0.3747$ 151.7535$
575+ 0.3479$ 200.0425$
750+ 0.3346$ 250.9500$
935+ 0.3212$ 300.3220$
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