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IRF7821TRPBF Infineon Technologies IRF7821TRPBF Real Image
IRF7821TRPBF Infineon Technologies IRF7821TRPBF Real Image
Vom selben Modell können mehrere Chargen existieren; Abbildungen dienen nur als Referenz.

IRF7821TRPBF

Teil Nr. IRF7821TRPBF
Hersteller Infineon Technologies
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Datenblatt
IRF7821TRPBF Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Reel - TR
Status Active
Polarität N-Channel
Technologie MOSFET
Drain-Source-Durchbruchsspannung 30V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 13.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Gate-Source Schwellenspannung 1V @ 250μA
Maximale Gate-Ladung 14nC @ 4.5V
Maximale Eingangskapazität 1010pF @ 15V
Maximale Gate-Source-Spannung ±20V
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 9.1 mOhm @ 13A, 10V
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 155°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket 8-SO
Dimension 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 001953-IRF7821TRPBF
Handelt es sich um ein häufig verwendetes Teil? Yes
Popularität High
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 49 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRF7821TRPBF CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies IRF7821TRPBF is an N-channel MOSFET with a drain-source breakdown voltage of 30V.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 30V
  • Continuous Drain Current: 13.6A @ 25°C
  • Maximum Rds On @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 13A, 10V
  • Gate-Source Threshold Voltage: 1V @ 250μA
  • Maximum Gate Charge: 14nC @ 4.5V
  • Maximum Input Capacitance: 1010pF @ 15V
  • Package: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Suitable for: Discrete Semiconductor Products

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32+ 4.6956$ 150.2592$
46+ 4.3672$ 200.8912$
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