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IRF7324PBF Real Image
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IRF7324PBF

Teil Nr. IRF7324PBF
Hersteller Infineon Technologies
Katalog FETs - Arrays
Beschreibung HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Tube
Transistor-Polarität 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Vds - Drain-Source-Durchbruchsspannung 20V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom 9A
Rds Ein (Maximum) bei Id, Vgs 18mOhm at 9A, 4.5V
Gate-Source-Spannung(th) (Maximum) bei Id 1V at 250μA
Gate-Ladung (Qg) (Maximum) bei Vgs 63nC at 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Maximum) bei Vds 2940pF at 15V
Maximale Leistung 2W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C ~ 150°C
Montageart SMD
Hersteller Paket 8-SOIC
Lieferant Gerätepaket 8-SO
Familie Teilenummer IRF7324PBF
Hersteller Packmenge 3,800
MSL-Stufe 1 (Unlimited)
Win Source Teilenummer 1187216-IRF7324PBF
Hersteller Homepage www.irf.com
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 46 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian IRF7324PBF CAD-Modell

Beschreibung

The Infineon Technologies IRF7324PBF is a dual P-channel MOSFET transistor designed for use in discrete semiconductor products.

  • Channel Type: P-Channel
  • Configuration: Dual
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 9A
  • Power: 2W
  • Input Capacitance: 2940pF @ 15V
  • Gate Charge: 63nC @ 5V
  • Gate-Source Voltage: 1V @ 250μA
  • Mounting Style: Surface Mount
  • Package: 8-SO
  • Popularity: Medium
  • Supply and Demand Status: Limited

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66+ 1.5349$ 101.3034$
102+ 1.4830$ 151.2660$
146+ 1.3793$ 201.3778$
189+ 1.3275$ 250.8975$
236+ 1.2756$ 301.0416$
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