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BFS17S H6327 Real Image
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BFS17S H6327

Teil Nr. BFS17S H6327
Hersteller Infineon Technologies
Katalog RF Transistors (BJT)
Beschreibung TRANS RF NPN 15V 25MA SOT363
Datenblatt
BFS17S H6327 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Reel - TR
Status Active
Transistor-Polarität 2 NPN (Dual)
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 15V
Frequenz - Übergang 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB to 5dB @ 800MHz
Maximale Verlustleistung 280mW
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 40 @ 2mA, 1V
Maximaler Strom Kollektor 25mA
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket PG-SOT363-6
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 039639-BFS17S H6327
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 52 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BFS17S H6327 CAD-Modell

Beschreibung

BFS17S H6327 - SMD Medium Power NPN Transistor

The BFS17S H6327 is a surface-mount medium power NPN transistor, designed to provide efficient solutions for amplification needs in compact applications.

  • Features and Benefits:
    • Medium power handling capabilities.
    • Compact SMD package for space-saving designs.
    • Excellent thermal and electrical characteristics.
  • Applications:
    • Medium power amplification circuits.
    • High-frequency inverter circuits.
    • Power management systems.
  • Additional Details:
    • Maximum Collector Current: 100 mA.
    • Maximum Collector-Emitter Voltage: 45 V.
    • Package Type: SOT-23.

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