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BFR193E6327 Real Image
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BFR193E6327

Teil Nr. BFR193E6327
Hersteller Infineon Technologies
Katalog RF Transistors (BJT)
Beschreibung NPN Bipolar RF Transistor / Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products
Familie RF Transistors(BJT)
Hersteller Infineon Technologies
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 235088-BFR193E6327
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 52 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Balance
Familienname BFR193
Einführung Datum December 11, 1996
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum Not Applicable
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BFR193E6327 CAD-Modell

Beschreibung

BFR193E6327 - Advanced High-Frequency Transistor

The BFR193E6327 is engineered for high-frequency operations, providing superior gain and efficiency in RF applications. It is highly praised for its reliability and ease of integration into diverse telecommunication systems.

  • Applications:
    • Base station amplifiers
    • Wireless communication infrastructure
    • Frequency modulation (FM) transmitters
  • Features and Benefits:
    • Advanced low-noise operation for clearer signal transmission
    • Enhanced thermal management features
    • Superior gain compression characteristics
  • Additional Details:
    • Well-suited for compact and portable devices
    • High breakdown voltage
    • Flexible implementation options within varied RF designs

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120+ 0.4301$ 51.6120$
285+ 0.3530$ 100.6050$
440+ 0.3419$ 150.4360$
605+ 0.3309$ 200.1945$
785+ 0.3199$ 251.1215$
1,050+ 0.2868$ 301.1400$
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