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BFR181E6327

Teil Nr. BFR181E6327
Hersteller Infineon Technologies
Katalog RF Transistors (BJT)
Beschreibung Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Discrete Semiconductor Products
Familie RF Transistors(BJT)
Hersteller Infineon Technologies
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 235075-BFR181E6327
Popularität Low
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 45 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
Familienname BFR181
Einführung Datum December 11, 1996
ECCN EAR99
Herkunftsland China
Halogenfrei Compliant
Geschätztes EOL-Datum Not Applicable
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BFR181E6327 CAD-Modell

Beschreibung

Description

The BFR181E6327 is a high-frequency NPN silicon transistor optimized for RF applications, delivering superior gain and low noise performance. Packaged in the SOT-23, it ensures reliable operation in high-demand RF environments.

Features and Benefits

  • Impressive frequency response: Provides performance up to GHz-level frequencies.
  • Low noise figure: Essential for enhancing signal clarity.
  • High gain capabilities: Enhances the signal strength for better reception.
  • Miniaturized package: Perfect for space-constrained designs.

Applications

  • Frequency mixers
  • High-frequency oscillators
  • Low noise blocks (LNBs)
  • Satellite communication systems

Additional Details

The BFR181E6327 is crafted for applications within VHF, UHF, and microwave bands, proving indispensable in intricate RF designs. Its high gain and low noise characteristics bolster the component's scalability across various telecommunication and broadcasting fields.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
115+ 0.4366$ 50.2090$
280+ 0.3583$ 100.3240$
435+ 0.3471$ 150.9885$
600+ 0.3359$ 201.5400$
770+ 0.3247$ 250.0190$
1,035+ 0.2911$ 301.2885$
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Verfügbarkeit: 3,005 Stücke
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