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GD25LQ128EWIGR
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GD25LQ128EWIGR

Teil Nr. GD25LQ128EWIGR
Hersteller GigaDevice Semiconductor
Katalog Flash
Beschreibung 128MBIT NOR FLASH /1.8V /WSON8 6 / FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8) SPI - Quad I/O 120 MHz 7 ns 8-WSON (5x6)
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorie Integrated Circuits (ICs)>Memory
Mfr GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Paket Tape & Reel
Speicher Typ Non-Volatile
Speicher Format FLASH
Technologie FLASH - NOR
Speichergröße 128Mb (16M x 8)
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 120 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60µs, 2.4ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2V
Temperaturbereich - Betrieb -40°C ~ 85°C (TA)
Montage SMD (SMT)
Verpackung / Koffer 8-WDFN Exposed Pad
Lieferant Gerätepaket 8-WSON (5x6)
Basis-Produktnummer GD25LQ128
MSL-Stufe 3 (168 Hours)
REACH-Status REACH Unaffected
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071
Andere Namen 1970-GD25LQ128EWIGRDKR,1970-GD25LQ128EWIGRTR,1970-GD25LQ128EWIGRCT
Standard-Paket 3,000
Win Source Teilenummer 968437-GD25LQ128EWIGR
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 71 pct.
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian GD25LQ128EWIGR CAD-Modell

Beschreibung

The GigaDevice Semiconductor GD25LQ128EWIGR is a non-volatile memory integrated circuit that has a capacity of 128Mb (16M x 8).

  • Capacity: 128Mb (16M x 8)
  • Operating Voltage: 1.65V to 2V
  • Clock Frequency: 120 MHz
  • Write Cycle Time (Word): 60μs
  • Write Cycle Time (Page): 2.4ms
  • Operating Temperature Range: -40°C to 85°C
  • Memory Interface: SPI - Quad I/O
  • Package: Tape and Reel
  • ECCN: 3A991B1A
  • REACH: Unaffected
  • Manufacturer: GigaDevice Semiconductor

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95+ 1.1045$ 104.9275$
145+ 1.0672$ 154.7440$
205+ 0.9926$ 203.4830$
265+ 0.9553$ 253.1545$
330+ 0.9180$ 302.9400$
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