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DMN3033LSDQ-13

Teil Nr. DMN3033LSDQ-13
Hersteller Diodes Incorporated
Katalog Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Diodes Incorporated
Verpackung Reel - TR
Status Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Durchbruchsspannung 30V
Kontinuierlicher Drainstrom bei 25°C 6.9A
Maximale Rds Ein bei Id,Vgs 20 mOhm @ 6.9A, 10V
Gate-Source Schwellenspannung 2.1V @ 250μA
Maximale Gate-Ladung 13nC @ 10V
Maximale Eingangskapazität 725pF @ 15V
Maximale Verlustleistung 2W
Temperaturbereich - Betrieb -55°C to 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket 8-SO
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 139830-DMN3033LSDQ-13
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 63 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Limited
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian DMN3033LSDQ-13 CAD-Modell

Beschreibung

DMN3033LSDQ-13 - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

The DMN3033LSDQ-13, manufactured by Diodes Incorporated, is a high-performance, N-channel enhancement mode field effect transistor (MOSFET) designed for a wide range of applications. This power MOSFET is notable for its low on-resistance and high continuous drain current, making it an ideal choice for power management tasks in both commercial and industrial equipment.

Key Features

  • Low On-Resistance: The DMN3033LSDQ-13 boasts an extremely low on-resistance, which translates to reduced power loss and improved efficiency in operation. This characteristic is essential for applications that demand high efficiency and minimal heat generation.
  • High Continuous Drain Current: With a high continuous drain current, this MOSFET can handle significant power, making it suitable for high-current applications.
  • Advanced Technology: Utilizing the latest advancements in semiconductor technology, the DMN3033LSDQ-13 offers superior performance, which includes fast switching speeds and robust thermal characteristics.
  • RoHS Compliant: In line with environmental standards, this product is RoHS compliant, minimizing the use of hazardous substances in its construction.

Applications

The DMN3033LSDQ-13 is versatile and can be used in a variety of applications, such as:

  • Power supply circuits
  • DC-DC converters
  • Motor drives
  • Battery management systems
  • Load switches

Package and Reliability

Encased in a compact SO-8 package, the DMN3033LSDQ-13 is designed for space-constrained applications without compromising on power handling capabilities. Its package is optimized for efficient heat dissipation, ensuring reliable operation even under high power conditions. The device also features a robust structure that can withstand challenging operating environments.

Conclusion

The DMN3033LSDQ-13 from Diodes Incorporated represents a blend of efficiency, reliability, and performance. Whether you're designing power supplies, motor controls, or any other application requiring a high-performance N-channel MOSFET, the DMN3033LSDQ-13 offers the specifications and features necessary to meet the demands of modern electronic systems.

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
205+ 0.2845$ 58.3225$
495+ 0.2335$ 115.5825$
770+ 0.2261$ 174.0970$
1,060+ 0.2189$ 232.0340$
1,365+ 0.2116$ 288.8340$
1,830+ 0.1897$ 347.1510$
* Die Preise verstehen sich exklusive Versandkosten und Steuern. Die Versandkosten werden an der Kasse berechnet.
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Verfügbarkeit: 3,100 Stücke
MOQ: 205 Stück
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