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BFR193FH6327XTSA1 Real Image
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BFR193FH6327XTSA1

Teil Nr. BFR193FH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies
Katalog RF Transistors (BJT)
Beschreibung TRANS RF NPN 12V 80MA TSFP-3
Datenblatt
BFR193FH6327XTSA1 Datenblatt
Muster
Rohs-status rohs
ECAD-module
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Kategorien Discrete Semiconductor Products
Hersteller Infineon Technologies
Verpackung Reel - TR
Status Active
Transistor-Polarität NPN
VCEO Maximale Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung 12V
Frequenz - Übergang 8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB to 1.6dB @ 900MHz to 1.8GHz
Gewinnen Sie 12.5dB
Maximale Verlustleistung 580mW
Typische Verstärkung (hFE) (Min) 70 @ 30mA, 8V
Maximaler Strom Kollektor 80mA
Temperaturbereich - Betrieb 150°C (TJ)
Montage SMD (SMT)
Koffer/Paket PG-TSFP-3
Zustand der Lagerung Dry storage cabinet & Humidity protection package
Win Source Teilenummer 099505-BFR193FH6327XTSA1
Rohmaterialien Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularität Medium
Gefälschte Bedrohung auf dem freien Markt 72 pct.
Stand von Angebot und Nachfrage Sufficient
ECAD-Modelle Contact us to download
Sicherheitsdatenblatt (MSDS) Get Access
Ultra Librarian 3D-Modell Ultra Librarian BFR193FH6327XTSA1 CAD-Modell

Beschreibung

BFR193FH6327XTSA1 - High Frequency NPN Transistor

The BFR193FH6327XTSA1 offers superior performance for RF applications requiring low noise and high linearity. It is a perfect choice for designers working on advanced RF systems.

  • Applications:
    • Wireless communications
    • Satellite technology
    • Microwave links
  • Features and Benefits:
    • Low noise performance
    • High linearity for distortion-free signal processing
    • Small footprint for compact designs
  • Additional Details:
    • Compatible with various PCB materials
    • Stable performance across a wide frequency range

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Preise und Bestellung

Menge Preis pro Einheit Ext. Preis
185+ 0.2764$ 51.1340$
445+ 0.2268$ 100.9260$
685+ 0.2198$ 150.5630$
945+ 0.2127$ 201.0015$
1,220+ 0.2056$ 250.8320$
1,630+ 0.1843$ 300.4090$
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